AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) bringt eine neue Cluster-Lösung für die Herstellung von Leistungs- und Hochfrequenz (HF)-Bauelementen auf Basis von Galliumnitrid (GaN) auf den Markt. Die G10-GaN und ihre innovativen Features stellt der führende Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie gerade auf der SEMICON Taiwan (6.-8. September 2023) in […]
AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) hat von Texas Instruments (TI) den begehrten Supplier Excellence Award 2022 erhalten. Mit dieser jährlichen Auszeichnung ehrt der weltweit tätige Halbleiterhersteller Zulieferer, die bei der Lieferung von Produkten und Dienstleistungen mit ihrem Einsatz und Engagement die hohen TI-Standards für hervorragende Leistungen erfüllen. "Für uns […]
AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, und ams OSRAM (SIX: AMS) geben bekannt, dass ams OSRAM die AIXTRON AIX G5+ C und G10-AsP MOCVD-Anlagen auf 200mm-Wafern für eine Micro LED-Anwendung qualifiziert hat. Die MOCVD-Anlage AIX G5+ C und die neue G10-AsP von AIXTRON […]
AIXTRON SE hat seine neue G10-SiC 200 mm-Anlage für die Herstellung von Siliziumkarbid-Bauelementen („SiC“) der neuesten Generation auf 150/200 mm SiC-Wafern vorgestellt. Dieses Hochtemperatur-CVD-System, das die Innovation auf die nächste Stufe hebt, wurde gerade auf der Internationalen Konferenz für Siliziumkarbid und verwandte Materialien (ICSCRM) angekündigt, die derzeit in Davos, Schweiz, […]
AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6), weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab heute bekannt, dass sie eine neue AIXTRON Close Coupled Showerhead (CCS)-Beschichtungsanlage an die University of Texas at Austin, Microelectronics Center (MRC), Department of Electrical and Computer Engineering, liefern wird. Die hochmoderne MOCVD-Beschichtungsanlage ist so konfiguriert, […]
AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6), ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab heute bekannt, dass AIXTRON Ltd., eine Tochtergesellschaft der AIXTRON SE, eine Depositionsanlage des Typs Close Coupled Showerhead® Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (CCS® MOCVD) für Verbindungshalbleitermaterialien an die Boise State University liefern wird. Die CCS® 3×2-Anlage […]
Epitaxie-Spezialist AIXTRON ist Partner im EU-Forschungsprojekt YESvGaN / Hohe elektrische Leistungsfähigkeit von Halbleitern mit großem Bandabstand zu niedrigen Kosten wie in der Silizium-Industrie / Hohe Energieeffizienz und niedrige CO2-Emissionen durch GaN-Leistungstransistoren / Größere Reichweite für die Elektromobilität Insbesondere die Digitalisierung hat einen massiven Anstieg von Anwendungen und elektronischen Geräten und […]
Der Experte für Halbleiterbauelemente Nexperia setzt beim Einstieg in den Markt für Hochleistungs-SiC-Bauelemente auf die Produktionstechnologie von AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6). Für die Serienproduktion der Siliziumkarbid-Epi-Wafer für SiC-Leistungsbauelemente benötigt Nexperia eine auch bei hohen Stückzahlen gleichbleibend exzellente Qualität der Epi-Wafer. Gleichzeitig können die Kosten in der Fertigung der […]
Bundesministerium für Bildung und Forschung hat Gewinner des Ideenwettbewerbs benannt / AIXTRON ist Partner des von der RWTH Aachen University geleiteten Clusters zur Erforschung von lernfähigen und energieeffizienten neuromorphen KI-Chips Das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) hat die Gewinner des Ideenwettbewerbs "Clusters4Future" veröffentlicht. Zu den geförderten Clustern gehören die […]
Die speziell für die Herstellung großflächiger Graphen-Schichten im Rahmen des GIMMIK-Forschungsprojekts entwickelte CVD-Anlage ist in Betrieb gegangen. AIXTRON SE (FSE: AIXA), einer der weltweit führenden Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, hat einen neuen, für Industrieanforderungen spezifischen Reaktor zur Verarbeitung von Graphen und hexagonalem Bornitrid (hBN) auf 200 mm-Epi-Wafern entwickelt, […]
