Anvo-Systems Dresden bemustert 256k nvSRAMs für erweiterten Temperaturbereich bis 125 °C

Beide seriellen SPI nvSRAMs weisen eine Speicherkapazität von 256 kb auf und sind intern als 32k Worte x 8 Bit organisiert. Jede SRAM-Speicherzelle integriert ein SONOS Flash Memory, das die nicht-flüchtige Speicherung aller Daten bei einem unvorhersehbaren Abfall der Betriebsspannung unter einen definierten Wert oder über die Steuerung durch einen Software-Befehl sicherstellt. Gleichzeitig werden die für SRAMs typischen Vorteile wie hohe Taktraten und unbegrenzte Lese- und Schreibzyklen (R/W Endurance) geboten. Spezielle Sicherheitsfunktionen, wie z.B. Block Write Protection, Write Disable Instruction, Secure READ und Secure WRITE sowie das Lesen der zuletzt geschriebenen Adresse, sorgen für eine hohe Zuverlässigkeit der nvSRAMs.

Die Taktrate der beiden nicht-flüchtigen Speicherbausteine liegt bei 66 MHz. Es werden die SPI Modes 0 und 3 unterstützt. Dank einer integrierten Power Down-Funktion (Hibernate Mode) lässt sich ein geringer Stromverbrauch des Systems erzielen.

Die nvSRAMs ANV32C81ASE66 und ANV32C81ASA66 sind für den Betriebsspannungsbereich 3,0 V – 3,6 V ausgelegt und werden in einem kompakten 8 Pin 150 mil SOIC-Gehäuse geliefert. Die nicht-flüchtigen Speicherbausteine eignen sich u.a. für den Einsatz in Anwendungen der Industrieautomatisierung, Robotik, Servern, Messtechnik, Medizintechnik, Gebäudeautomatisierung, Smart Metering-Systemen und allen Applikationen die einen erweiterten Temperaturbereich erfordern.