
Anhand stetig physischer Verkleinerung der NAND-Flash-Zellen, können mehr Zellen pro Flächeneinheit untergebracht und die Speicherkapazität erhöht werden. Dies kann jedoch zu einer höheren Interferenz mit der in der Zelle eingeschlossenen Ladung führen. Folge ist eine erhöhte Fehlerbitrate. Die Zellen nehmen immer mehr Bits auf, wodurch der Puffer zwischen den Spannungsebenen […]